我國開展光電子晶體材料研究較早，在光電子晶體材料的生長方面，具備一定的優(yōu)勢。與發(fā)達國家和地區(qū)相比，我國的差距主要體現(xiàn)在光電子晶體元器件產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化和標準化較為落后，下游行業(yè)的發(fā)展在一定程度上制約了光電子晶體行業(yè)的發(fā)展。此外，多數(shù)光電子晶體材料生產(chǎn)企業(yè)在元器件的精密加工技術(shù)與國際先進水平相比存在一定差距。
   1、行業(yè)的技術(shù)狀況
   （1）激光晶體的技術(shù)狀況
   ①激光晶體生長技術(shù)
  目前 YAG 系列激光晶體主要生長技術(shù)為提拉法生長技術(shù)，該技術(shù)根據(jù)加熱方式的不同，又分為感應(yīng)加熱銥坩堝提拉法和電阻加熱鉬坩堝提拉法。提拉法生長原理示意圖如下：

    提拉法最早是由俄羅斯人切克勞斯基（Czochralski）提出，因此也稱Cz 法，是目前生產(chǎn)大多數(shù)晶體的快速提拉方法。提拉法的生長工藝首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱熔化，再調(diào)整爐內(nèi)溫度場，使熔體上部處于過冷狀態(tài)；然后在籽晶桿上安放一粒籽晶，讓籽晶接觸熔體表面，待籽晶表面稍熔后，提拉并轉(zhuǎn)動籽晶桿，使熔體處于過冷狀態(tài)而結(jié)晶于籽晶上，在不斷提拉和旋轉(zhuǎn)過程中，生長出圓柱狀晶體。
   ②激光晶體元器件光學(xué)加工技術(shù)
   激光晶體元器件光學(xué)加工技術(shù)包括定向、切割、退火、研磨、拋光、鍍膜，關(guān)鍵技術(shù)為拋光和鍍膜。拋光的目的是使晶體元器件表面具有高光潔度、高面型精度、低粗糙度等性能。鍍膜的目的是使晶體元器件具有更好的性能，如提高其透射能力的增透膜（減反射膜）、提高其反射能力的高反射膜等。拋光和鍍膜的水平影響晶體元器件的性能。
   傳統(tǒng)的激光晶體元器件為棒狀結(jié)構(gòu)，隨著激光晶體應(yīng)用需求的拓展，一些新型結(jié)構(gòu)如板條、薄片、螺紋棒、晶體鍵合等元器件的加工技術(shù)得到了大力發(fā)展。特別是在一些高功率、高性能激光系統(tǒng)中，鍵合晶體開始得到廣泛應(yīng)用。
   ③激光晶體性能檢測技術(shù)
   激光晶體性能檢測技術(shù)主要包括結(jié)構(gòu)分析、性能測試、標準建立、缺陷研究等技術(shù)，主要是對激光晶體內(nèi)部質(zhì)量、加工質(zhì)量的判斷，包含表面光潔度、膜層損傷、熱效應(yīng)、動態(tài)性能、消光比、光束質(zhì)量和平面度等項目的檢測，隨著高功率的激光應(yīng)用，傳統(tǒng)檢測方法和檢測內(nèi)容已不全面反映激光晶體的質(zhì)量，需要開發(fā)如內(nèi)部微弱損耗、抗激光損傷閾值等方面的檢測技術(shù)和設(shè)備。