單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場(chǎng)對(duì)單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場(chǎng)需求也呈快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體伸長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法伸長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法伸長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。目前晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。目前晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用最廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

盡管受到硅材料影響，2006年和2007年太陽電池/組件的年增長(zhǎng)率仍分別達(dá)到42.1%和78%；2008年全球電池產(chǎn)量為7900MW，雖然下半年有金融風(fēng)暴的巨大影響，仍比2007年增長(zhǎng)77.5%，這主要得力于西班牙光伏市場(chǎng)的貢獻(xiàn)。2009年全球太陽能電池總產(chǎn)量為10700MW（含薄膜），2009年比2008年增幅達(dá)35.4%，電池年產(chǎn)量開創(chuàng)了新的歷史。一個(gè)產(chǎn)業(yè)如此快速發(fā)展在世界上是極為罕見的。下表為2000至2009年的全球太陽電池產(chǎn)量的變化狀況，可以明顯看出，最近幾年世界光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是非常驚人的。

圖表  2000—2009年全球太陽能電池產(chǎn)量變化情況

（單位：MW）

數(shù)據(jù)來源：金安明邦調(diào)研中心

中國太陽能電池廠商（包括臺(tái)灣�。┑氖袌�(chǎng)占有率逐年上升，2007年中國太陽能電池廠商市場(chǎng)占有率由2006年20%上升至35%；2008年則更進(jìn)一步，大幅度提升至32.9%，達(dá)到2600MW；2009年繼續(xù)大幅度提高產(chǎn)量，僅大陸就產(chǎn)量就超過了4000MW，占全球44%，連續(xù)三年成為世界第一�；仡�2008和2009年，中國生產(chǎn)廠（不含臺(tái)灣�。┑漠a(chǎn)量和名次在不斷攀升，三年來中國不僅保持其全球總產(chǎn)量第一生產(chǎn)國的地位，并且在2008年產(chǎn)量比2007年翻了一番的基礎(chǔ)上，2009年產(chǎn)量又比2008年增長(zhǎng)近一倍，達(dá)到4382MW。臺(tái)灣的光伏發(fā)展速度略比與大陸要小一些。盡管亞洲大陽能電池量已壓群雄，令其他國家望塵莫及。不過，從前十名的名單來看，單個(gè)企業(yè)中還是西方領(lǐng)先，畢竟由于美國First Solar的薄膜電池發(fā)展迅猛，它還是位列老大。在全球總產(chǎn)量方面，中國已超過全球產(chǎn)量的一半。

跨入21世紀(jì)門檻后，世界大多數(shù)國家踴躍參與以至在全球范圍掀起了太陽能開發(fā)利用的“綠色能源熱”，一個(gè)廣泛的大規(guī)模的利用太陽能的時(shí)代正在來臨，太陽能級(jí)單晶硅產(chǎn)品也將因此炙手可熱。此外，包括我國在內(nèi)的各國政府也出臺(tái)了一系列“陽光產(chǎn)業(yè)”的優(yōu)惠政策，給予相關(guān)行業(yè)重點(diǎn)扶持，單晶硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出美好的發(fā)展前景