由于第三代半導(dǎo)體材料及其制作的各種器件的優(yōu)越性、實用性和戰(zhàn)略性，毫無疑問，未來以第三代半導(dǎo)體材料SiC和GaN制成的半導(dǎo)體功率器件將成為發(fā)展主流，當前許多發(fā)達國家已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃，全面部署。

2020年末，GaN射頻器件市場規(guī)模將擴大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G網(wǎng)絡(luò)的實施將接棒推動GaN市場增長。未來10年，GaN市場將有望超過30億美元。

從研發(fā)角度來看，中國專利占據(jù)全球的23%，但產(chǎn)業(yè)化發(fā)展程度較歐美低，但我國發(fā)展的應(yīng)用場景廣闊：我國是全球最大的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)地、全球規(guī)模最大的5G移動通信、全球增速最快的新能源汽車、智能手機和軍工領(lǐng)域?qū)�功率半�?dǎo)體需求增速，這些應(yīng)用的發(fā)展都離不開第三代半導(dǎo)體材料和器件的支撐。

同時，國內(nèi)投資GaN熱度高漲。根據(jù)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的統(tǒng)計，僅僅2017年一年，投產(chǎn)氮化鎵材料相關(guān)項目金額已經(jīng)超過19億元。政策扶持、應(yīng)用推進、資本追捧，以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景廣闊，氮化鎵手機快充充電器只是一個開始。

國內(nèi)GaN企業(yè)匯總?cè)缦拢?/P>

GaN襯底企業(yè)

東莞市中稼半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，總部設(shè)于廣東東莞，總注冊資本為1.3億元人民幣，總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米，并在北京有大型研發(fā)中心，為中國國內(nèi)一家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的企業(yè)。

官網(wǎng)顯示，中鎵半導(dǎo)體已建成國內(nèi)首家專業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月，中鎵半導(dǎo)體實現(xiàn)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司成立于2010年，是廣東光大企業(yè)集團在半導(dǎo)體領(lǐng)域繼中鎵半導(dǎo)體、中圖半導(dǎo)體后布局的第三個重點產(chǎn)業(yè)化項目。

中晶半導(dǎo)體主要以HVPE設(shè)備等系列精密半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)為支撐，以GaN襯底為基礎(chǔ)，重點發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術(shù)，并向新型顯示模組方向延展；同時，中晶半導(dǎo)體將以GaN襯底材料技術(shù)為基礎(chǔ)，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導(dǎo)體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國際前沿技術(shù)，并進行全球產(chǎn)業(yè)布局。

蘇州納維科技有限公司

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，致力于氮化鎵單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)在是國際上少數(shù)幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位之一。

據(jù)官網(wǎng)介紹，目前納維科技GaN單晶襯底產(chǎn)品已提供給300余家客戶使用，正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應(yīng)用市場發(fā)展，重點突破方向是藍綠光半導(dǎo)體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領(lǐng)域。

鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司

鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要從事大尺寸的高質(zhì)量、低成本氮化鎵襯底的生長，以推動諸多半導(dǎo)體企業(yè)能夠以合理價來購買并使用氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體已自主研發(fā)出HVPE設(shè)備，并用以生長高質(zhì)量的氮化鎵襯底。

官網(wǎng)顯示，借助自主研發(fā)的HVPE設(shè)備，鎵特半導(dǎo)體已成功生長出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體表示，未來幾年內(nèi)將建成全球最大的氮化鎵襯底生長基地，以此進一步推廣氮化鎵襯底在半導(dǎo)體材料市場上的廣泛應(yīng)用，并將依托自支撐GaN襯底進行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。

GaN外延片企業(yè)

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成立于2012年3月，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。2013年8月，晶湛半導(dǎo)體開始在蘇州納米城建設(shè)GaN外延材料生產(chǎn)線，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬片；2014年底，晶湛半導(dǎo)體發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。

官網(wǎng)介紹稱，截至目前，晶湛半導(dǎo)體已完成B輪融資用于擴大生產(chǎn)規(guī)模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月產(chǎn)能達1萬片。晶湛半導(dǎo)體現(xiàn)已擁有全球超過150家的著名半導(dǎo)體公司、研究院所客戶。

聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司

略……

本公司出品的研究報告首先介紹了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、氮化鎵(GaN)行業(yè)整體運行態(tài)勢等，接著分析了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)市場運行的現(xiàn)狀，然后介紹了氮化鎵(GaN)行業(yè)市場競爭格局。隨后，報告對氮化鎵(GaN)行業(yè)做了重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國氮化鎵(GaN)行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對氮化鎵(GaN)行業(yè)產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資中國氮化鎵(GaN)行業(yè)，本報告是您不可或缺的重要工具。

本研究報告數(shù)據(jù)主要采用國家統(tǒng)計數(shù)據(jù)，海關(guān)總署，問卷調(diào)查數(shù)據(jù)，商務(wù)部采集數(shù)據(jù)等氮化鎵(GaN)。其中宏觀經(jīng)濟數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局，部分行業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局及市場調(diào)研數(shù)據(jù)，企業(yè)數(shù)據(jù)主要來自于國統(tǒng)計局規(guī)模企業(yè)統(tǒng)計氮化鎵(GaN)及證券交易所等，價格數(shù)據(jù)主要來自于各類市場監(jiān)測氮化鎵(GaN)。