二次電子探測器（SED），是應(yīng)用在掃描電子顯微鏡（掃描電鏡，SEM）中，檢測收集二次電子的裝置。二次電子是入射電子與樣品表面發(fā)生非彈性散射產(chǎn)生的低能量電子，可以呈現(xiàn)樣品表面形貌。
掃描電鏡工作時(shí)，電子槍產(chǎn)生電子束，電子束照射樣品產(chǎn)生信號(hào)，探測器對(duì)信號(hào)進(jìn)行檢測收集，通過計(jì)算機(jī)處理獲得圖像和數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)樣品特征分析。掃描電鏡通常需要探測的信號(hào)包括二次電子（SE）、背散射電子（BSE）兩種。二次電子通常采用閃爍體-光電倍增管探測器（閃爍體探測器）進(jìn)行探測，背散射電子通常采用電子背散射衍射（EBSD）探測器進(jìn)行探測。
E-T探測器（ETD），是一種閃爍體-光電倍增管探測器，一般裝配在樣品臺(tái)的一側(cè)，工作時(shí)，二次電子先到達(dá)閃爍體，被轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，再傳輸給光電倍增管，經(jīng)放大后轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，最后輸送給計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理。
E-T探測器輸送的信號(hào)強(qiáng)度與探測到的電子數(shù)量成正比，具有信號(hào)收集效率高、延遲低、噪聲低等特點(diǎn)，于20世紀(jì)60年代被開發(fā)問世。E-T探測器是現(xiàn)階段最為常見的二次電子探測器產(chǎn)品，通常所說的二次電子探測器即為E-T探測器。
除E-T探測器外，還有一類不常見、可以選配的二次電子探測器，由于通常安裝在物鏡內(nèi)或者鏡筒內(nèi)，被稱為物鏡內(nèi)二次電子探測器、鏡筒內(nèi)二次電子探測器，其工作原理與E-T探測器相似。物鏡內(nèi)二次電子探測器依靠物鏡電磁場對(duì)二次電子進(jìn)行收集，由于工作距離近，其探測效率更高、分辨率更高，可以進(jìn)一步提高掃描電鏡的成像質(zhì)量。
二次電子探測器實(shí)際應(yīng)用時(shí)，在常規(guī)掃描電鏡中，E-T探測器為標(biāo)配，在高分辨率場發(fā)射掃描電鏡中，會(huì)同時(shí)配置E-T探測器與物鏡內(nèi)/鏡筒內(nèi)二次電子探測器。掃描電鏡是研究材料三維表層構(gòu)造的重要儀器，應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬，需求持續(xù)增長，2023年全球市場規(guī)模達(dá)到36.6億美元，這有利于二次電子探測器行業(yè)發(fā)展。
在全球范圍內(nèi)，二次電子探測器生產(chǎn)商主要有美國賽默飛世爾（ThermoFisher）、日本日立高新（Hitachi High-Technologies）、法國Orsay Physics、捷克TESCAN等�？偟膩砜矗�受益于需求不斷擴(kuò)張，掃描電鏡產(chǎn)銷量不斷增長，二次電子探測器作為其不可或缺的重要組成部分，市場前景良好。