結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，英文簡(jiǎn)稱JFET，是一種具有放大功能的三端有源器件，可以分為N溝道、P溝道兩種產(chǎn)品，工作原理是通過(guò)電壓改變溝道的導(dǎo)電性來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出電流控制。
　　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管主要由柵極、源極、漏極等構(gòu)成，連接源極與漏極的通道為溝道，柵極在源極與漏極之間。若溝道材料采用N型半導(dǎo)體，則柵極采用P型半導(dǎo)體，產(chǎn)品為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管；若溝道材料采用P型半導(dǎo)體，則柵極采用N型半導(dǎo)體，產(chǎn)品為P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）包括結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）兩種。在結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管產(chǎn)品中，耗盡型JFET（D-JFET）最為常見(jiàn)，不施加電壓時(shí)其溝道電阻小，施加電壓控制柵極改變溝道厚度，可使溝道電阻產(chǎn)生變化，從而實(shí)現(xiàn)輸入信號(hào)放大。
　　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為單極晶體管，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、負(fù)溫度系數(shù)、載流子遷移率高、無(wú)少數(shù)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)與擴(kuò)散問(wèn)題、開(kāi)關(guān)速度快、截止頻率高、輸入阻抗高、信號(hào)功率要求低、功率增益高、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲小、工藝兼容性好、易于匹配、安全性高、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。
　　結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以采用硅（Si）、磷化銦（InP）、磷砷化銦鎵（GaInAsP）等材料進(jìn)行制造，可以廣泛用于電子電路、數(shù)字電路中，應(yīng)用場(chǎng)景包括放大器、開(kāi)關(guān)電路、限流器、穩(wěn)壓器、相移振蕩器等。在數(shù)字集成電路中，采用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以改善電路單元性能、提高芯片電學(xué)參數(shù)。
　　2015年以來(lái)，全球場(chǎng)效應(yīng)晶體管市場(chǎng)整體呈現(xiàn)穩(wěn)定上升態(tài)勢(shì)，2023年市場(chǎng)規(guī)模約為324億美元。在全球范圍內(nèi)，亞太地區(qū)是最大的場(chǎng)效應(yīng)晶體管需求市場(chǎng)，接下來(lái)是北美和歐洲地區(qū)。與MOSFET相比，全球結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管市場(chǎng)份額占比小，但在部分應(yīng)用場(chǎng)景中不可或缺，仍有發(fā)展空間。
　　在全球范圍內(nèi)，領(lǐng)先的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管生產(chǎn)商主要有日本東芝（Toshiba）、日本松下（Panasonic）、荷蘭恩智浦（NXP）、意大利意法半導(dǎo)體（ST）、德國(guó)英飛凌（Infineon）、美國(guó)威世（Vishay）、美國(guó)安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）、美國(guó)中央半導(dǎo)體（Cental Semiconductor）、美國(guó)仙童半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）等，主要是歐美日企業(yè)。