新型存儲器包括相變存儲器（PCM）、阻變存儲器（RRAM）、磁變存儲器（MRAM）、鐵電存儲器（FRAM）等類型。相變存儲器（PCM）指利用硫族化合物或氧化物等特殊材料在不同相態(tài)之間的轉(zhuǎn)換來存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器。PCM具有快速讀寫速度快、功耗低、存儲密度高、使用壽命長等優(yōu)勢，在人工智能、電子產(chǎn)品以及無線通信等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。
相變存儲器以相變材料作為存儲介質(zhì)，包括硫族化合物、氧化物等。鍺銻碲合金（GST）擁有極佳光學(xué)性質(zhì)及電學(xué)性質(zhì)，是一種技術(shù)成熟度極高的硫族相變材料。目前，我國已有多家具備鍺銻碲合金生產(chǎn)實力，這將為相變存儲器行業(yè)發(fā)展奠定良好基礎(chǔ)。
三維相變存儲器（3D PCM）為PCM代表產(chǎn)品。3D PCM指基于三維堆疊技術(shù)，由選通單元、存儲單元兩部分構(gòu)成的存儲器，雙向閾值開關(guān)為其選通單元核心組件。3D PCM能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)分層存儲，為極具發(fā)展前景的存儲器。但目前，受原材料供應(yīng)不足、生產(chǎn)成本高、技術(shù)壁壘高等因素限制，我國3D PCM市場占比較低。未來伴隨研究深入，技術(shù)進(jìn)步，3D PCM行業(yè)發(fā)展速度將進(jìn)一步加快。
PCM存儲速度極快，為傳統(tǒng)FLASH存儲器以及EEPROM存儲器替代產(chǎn)品，在人工智能、電子產(chǎn)品以及無線通信等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。近年來，在國家政策支持以及技術(shù)進(jìn)步等積極因素推動下，我國人工智能行業(yè)景氣度不斷提升。2023年我國人工智能市場規(guī)模達(dá)到近2200億元。在此背景下，PCM應(yīng)用需求將有所增長，
 全球PCM市場主要參與者包括日本東芝株式會社（TOSHIBA）、美國英特爾公司（Intel）、美國美光公司（Micron）、韓國三星集團(tuán)（SAMSUNG）等。在本土方面，與海外發(fā)達(dá)國家相比，我國PCM行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢頭迅猛，已有多家企業(yè)具備其生產(chǎn)實力，包括納思達(dá)股份、時代全芯（AMT）、東芯股份等。時代全芯為我國首家擁有相變存儲技術(shù)的企業(yè)，目前已具備PCM量產(chǎn)能力。
PCM作為新型存儲器，應(yīng)用前景廣闊，行業(yè)發(fā)展速度不斷加快。未來隨著我國人工智能、5G等高新技術(shù)不斷進(jìn)步，PCM市場需求將進(jìn)一步增長。在市場競爭方面，我國企業(yè)已具備PCM量產(chǎn)能力，技術(shù)水平已到達(dá)全球領(lǐng)先。