鐵電存儲器（FRAM）是以鐵電材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電材料的可逆特性來存儲和讀取數(shù)據(jù)的非揮發(fā)性電子存儲器。鐵電存儲器屬于隨機存取存儲器的一種，結(jié)合了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的優(yōu)點，可在關(guān)閉電源后仍然保留存儲的數(shù)據(jù)。與其他類型的存儲器相比，鐵電存儲器具有功耗低、存儲容量大、讀寫速度快、數(shù)據(jù)安全性能良好、兼容性優(yōu)良等優(yōu)勢。
經(jīng)過多年發(fā)展，鐵電存儲器的種類逐漸增多。根據(jù)存儲容量不同，鐵電存儲器大致可分為64K、32K、16K等；根據(jù)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不同，鐵電存儲器大致可分為串行鐵電存儲器、并行鐵電存儲器等。
從產(chǎn)業(yè)鏈上游來看。鐵電存儲器的零部件主要有鐵電電容器、讀寫電路、基地、開關(guān)元件等。其中，鐵電電容器是鐵電存儲器的核心元件之一，主要由兩塊電極和介質(zhì)材料組成。在電壓施壓時，鐵電電容器中鐵電材料的極化方向可以發(fā)生轉(zhuǎn)變，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲和讀取。
二十世紀(jì)80年代初，我國存儲器的技術(shù)水平較為落后，主要依賴國外進(jìn)口。進(jìn)入90年代后，我國存儲器企業(yè)逐步實現(xiàn)了技術(shù)突破，研發(fā)出了第一顆具有自主知識產(chǎn)權(quán)的DRAM存儲器芯片。到21世紀(jì)后，鐵電存儲器作為新興產(chǎn)品，在我國市場得到了快速發(fā)展。目前，我國已經(jīng)實現(xiàn)了新型3D鐵電存儲器（VFRAM）的研發(fā)和量產(chǎn)，打破了國外企業(yè)在鐵電存儲器領(lǐng)域的壟斷。
鐵電存儲器主要應(yīng)用于智能家電、消費電子、醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)設(shè)備、汽車、航空航天、機器人、儀器儀表等領(lǐng)域。其中，醫(yī)療設(shè)備為鐵電存儲器最主要的應(yīng)用領(lǐng)域。在醫(yī)療領(lǐng)域中，鐵電存儲器在血氧儀、CT掃描儀、呼吸機、胰島素注射泵等設(shè)備中廣泛應(yīng)用。
隨著我國5G、人工智能等信息技術(shù)不斷進(jìn)步，鐵電存儲器的應(yīng)用領(lǐng)域逐漸拓寬，市場需求逐漸增長。在此背景下，我國鐵電存儲器市場規(guī)模不斷擴大。預(yù)計到2025年，我國鐵電存儲器市場規(guī)模將達(dá)到160億美元。
目前，國外鐵電存儲器企業(yè)主要有Texas Instruments、ROHM、Ramtron等，國內(nèi)大型企業(yè)主要有亞泰盈科、拍字節(jié)科技等。國外企業(yè)起步較早，憑借其技術(shù)、資金、研發(fā)等優(yōu)勢，占據(jù)了全球大部分市場。我國鐵電存儲器企業(yè)起步較晚，但發(fā)展速度較快，產(chǎn)品性能得到較大提升，未來在國際市場中的競爭力有望不斷增強。