電感耦合等離子體（ICP）刻蝕機是一種將射頻電源的能量經(jīng)由電感線圈，以磁場耦合的形式進入反應(yīng)腔內(nèi)部，從而產(chǎn)生等離子體并用于刻蝕的設(shè)備。
   ICP刻蝕機具有結(jié)構(gòu)簡單、操作簡便、刻蝕損傷小、刻蝕速率快、電場可獨立控制、刻蝕表面性能好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等特點，適合于大面積基片刻蝕，目前其在二氧化硅、應(yīng)變硅、碳化硅、多晶硅柵結(jié)構(gòu)、III-V族化合物、金屬導(dǎo)線、金屬焊墊等材料刻蝕上已得到廣泛應(yīng)用。
   根據(jù)等離子體源設(shè)計不同，ICP刻蝕機分為變壓器耦合型等離子體（TCP）、去耦合型等離子體源（DPS）兩大類。TCP型ICP刻蝕機由美國泛林半導(dǎo)體公司開發(fā)生產(chǎn)，DPS型ICP刻蝕機美國應(yīng)用材料公司開發(fā)生產(chǎn)。
   ICP刻蝕機可替代或部分替代電容性等離子體（CCP）蝕刻機、反應(yīng)離子（RIE）刻蝕機等，目前其已成為等離子體刻蝕設(shè)備中應(yīng)用最廣泛的刻蝕設(shè)備，市場占比達50%以上。2023年，全球ICP刻蝕機市場銷售規(guī)模約78.5億美元，預(yù)計2024-2028年，全球ICP刻蝕機市場將以10.0%以上的年均復(fù)合增長率增長。
　　我國是全球電子器件制造中心，ICP刻蝕機市場需求空間廣闊。得益于技術(shù)突破、需求旺盛，近年來，我國ICP刻蝕機市場發(fā)展較快，在全球市場的占比也逐年提升，2023年達32.0%左右，市場銷售規(guī)模約25.1億美元。預(yù)計2024-2028年，我國ICP刻蝕機市場增速將高于全球平均水平，屆時在全球市場的占比將進一步提升。　
　  ICP刻蝕機市場集中度較高，全球市場由東京電子（TEL）、泛林半導(dǎo)體（Lam Research）、Applied Materials等企業(yè)占據(jù)主導(dǎo)。我國ICP刻蝕機企業(yè)主要有北方華創(chuàng)、中微公司兩家，北方華創(chuàng)是國內(nèi)龍頭企業(yè)。根據(jù)相關(guān)年報顯示，截止至2023年底，北方華創(chuàng)ICP刻蝕設(shè)備累計出貨量超3200腔。中微公司ICP刻蝕機以Primo nanova系列為主，2024年3月，中微公司ICP刻蝕機Primo nanova系列迎來第500臺付運里程碑。　
    ICP刻蝕機為低能離子刻蝕技術(shù)，具有電場可獨立控制、刻蝕速率快、刻蝕表面損傷小、等離子體密度高等優(yōu)勢，主要用于硅及金屬材料刻蝕。近年來，ICP刻蝕機市場發(fā)展加快，其在刻蝕機總量的占比不斷提升，我國是ICP刻蝕機主要消費國家之一，但在供應(yīng)方面，本土企業(yè)與國際供應(yīng)商相比仍存在一定差距。