HBM，高帶寬存儲(chǔ)器，基于3D堆棧工藝，將多個(gè)DDR芯片堆疊制造而成，是一種高性能DRAM。
　　HBM具有高速、高帶寬特點(diǎn)，并且能耗低，封裝體積正在不斷縮小，特別適合應(yīng)用于高帶寬需求場(chǎng)景，主要用在CPU、GPU制造領(lǐng)域。現(xiàn)階段，NVIDIA、AMD兩大顯卡廠商均已推出搭載有HBM的GPU產(chǎn)品，例如NVIDIA H100、AMD Instinct MI300等，期望依靠HBM來(lái)提升GPU產(chǎn)品性能。
　　2014年，全球首款HBM發(fā)布，發(fā)展至今，HBM產(chǎn)品已更新至第五代，分別是HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E，下一代產(chǎn)品HBM4正在加緊布局，不同代HBM產(chǎn)品主要是從數(shù)據(jù)傳輸速率、芯片容量?jī)纱蠓矫孢M(jìn)行升級(jí)。當(dāng)前，HBM3E受關(guān)注度最高，2023年11月，NVIDIA推出新一代AI計(jì)算平臺(tái)NVIDIA HGX H200，是全球首款采用HBM3e的GPU。
　　AI大模型具有深度學(xué)習(xí)能力，可以處理海量數(shù)據(jù)，完成復(fù)雜計(jì)算任務(wù)，未來(lái)可以應(yīng)用在眾多領(lǐng)域，能夠?qū)ι鐣?huì)生產(chǎn)生活產(chǎn)生重大影響，現(xiàn)階段最具代表性的產(chǎn)品是ChatGPT。隨著AI大模型技術(shù)興起，全球算力需求大幅增加，市場(chǎng)對(duì)AI芯片的算力要求不斷提高，傳統(tǒng)DRAM將逐漸無(wú)法滿(mǎn)足需求。HBM算力強(qiáng)大，在AI服務(wù)器領(lǐng)域發(fā)展?jié)摿Υ�，隨著AI芯片不斷升級(jí)迭代，其需求量有望快速增加。
　　與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM成本高、售價(jià)高，近兩年HBM產(chǎn)值增長(zhǎng)極為迅速。2023年，全球HBM產(chǎn)值在DRAM總產(chǎn)值中的占比不足10%，預(yù)計(jì)2024年將提升到20%以上。由于技術(shù)壁壘高，HBM產(chǎn)能增速不及產(chǎn)值，預(yù)計(jì)2024年，全球HBM產(chǎn)能在DRAM總產(chǎn)能中的占比在5%左右，但將保持持續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。
　　由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜、技術(shù)難度大，HBM良品率較低，僅在60%左右。同時(shí)，目前全球HBM生產(chǎn)商數(shù)量少，僅有SK海力士、三星、美光三家。因此HBM價(jià)格高，現(xiàn)階段主要應(yīng)用在高端GPU制造領(lǐng)域。全球HBM市場(chǎng)中，SK海力士份額占比最高，緊接著是三星，美光份額占比相對(duì)較小。
    HBM制備主要采用TSV（硅通孔）技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片堆疊、垂直電互聯(lián)，TSV是一種3D先進(jìn)封裝技術(shù)。目前，我國(guó)科陽(yáng)半導(dǎo)體可采用TSV技術(shù)提供晶圓級(jí)封裝服務(wù)；中微公司可提供TSV設(shè)備；華海誠(chéng)科已研制出可用于HBM封裝方面的顆粒狀環(huán)氧塑封料（GMC）。這為我國(guó)HBM行業(yè)發(fā)展奠定一定技術(shù)基礎(chǔ)，但現(xiàn)階段，我國(guó)尚未有HBM生產(chǎn)企業(yè)。