碳化硅（SiC）蝕刻環(huán)是以先進(jìn)陶瓷材料碳化硅（SiC）制備的一種半導(dǎo)體蝕刻耗材。SiC蝕刻環(huán)主要用于半導(dǎo)體刻蝕工藝中，其性能和穩(wěn)定性對(duì)半導(dǎo)體制造效率、質(zhì)量具有重要影響。
　　SiC蝕刻環(huán)是半導(dǎo)體等離子刻蝕工藝的重要耗材之一。半導(dǎo)體蝕刻工藝分為干法刻蝕（又稱等離子刻蝕）、濕法刻蝕兩大類，其中等離子刻蝕為主流工藝，占比達(dá)95%以上。根據(jù)等離子體產(chǎn)生技術(shù)不同，等離子體刻蝕又分為電容耦合等離子體刻蝕（CCP）、電感耦合等離子體（ICP）刻蝕。
　　蝕刻環(huán)材料包括碳化硅（SiC）、硅（Si）、石英等。碳化硅（SiC）在耐高溫性、導(dǎo)熱性、耐離子刻蝕性、機(jī)械性等方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅及石英材料，近年來(lái)，隨著集成電路微型化發(fā)展，刻蝕機(jī)所需等離子體能量提高，SiC憑借高化學(xué)穩(wěn)定性、高耐離子刻蝕性、長(zhǎng)使用壽命等優(yōu)勢(shì)，在蝕刻環(huán)制造中使用越來(lái)越廣泛。
　　SiC蝕刻環(huán)對(duì)材料的純度要求極高，目前業(yè)內(nèi)通常采用化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝進(jìn)行SiC厚層塊體生長(zhǎng)，再經(jīng)過(guò)精密加工制得。在國(guó)際市場(chǎng)上，SiC蝕刻環(huán)相關(guān)供應(yīng)商有日本精密陶瓷株式會(huì)社、COMA Technology、韓國(guó)KNJ、韓國(guó)東海、CoorsTek等。SiC蝕刻環(huán)技術(shù)壁壘高，受技術(shù)限制，我國(guó)SiC蝕刻環(huán)企業(yè)較少，尤其是具備量產(chǎn)能力的企業(yè)。
　　2020年以來(lái)，由于國(guó)際矛盾沖突，日本、荷蘭等國(guó)家半導(dǎo)體設(shè)備的出口管理趨嚴(yán)，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈自主可控重要性日益突出。在此背景下，我國(guó)企業(yè)加大了對(duì)SiC蝕刻環(huán)、靜電卡盤、氣體噴嘴等半導(dǎo)體設(shè)備零部件的研發(fā)力度，并取得了良好成果。
　　湖南德智新材料有限公司（德智新材）是國(guó)內(nèi)SiC蝕刻環(huán)頭部供應(yīng)商，基于自研的CVD設(shè)備，在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了SiC蝕刻環(huán)量產(chǎn)交付。德智新材成立于2017年，截止至目前，其已完成四次關(guān)鍵融資，擁有湖南株洲、江蘇無(wú)錫兩大研發(fā)制造基地。
　　SiC蝕刻環(huán)在使用壽命、耐離子刻蝕性、耐高溫性等方面優(yōu)于傳統(tǒng)石英蝕刻環(huán)及硅蝕刻環(huán)，隨著刻蝕等離子體能量提高，SiC蝕刻環(huán)應(yīng)用價(jià)值將進(jìn)一步凸顯。SiC蝕刻環(huán)技術(shù)壁壘高，國(guó)外企業(yè)占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)，目前我國(guó)企業(yè)已突破SiC蝕刻環(huán)技術(shù)難關(guān)，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)交付，在國(guó)產(chǎn)替代背景下，國(guó)產(chǎn)SiC蝕刻環(huán)將占據(jù)更多市場(chǎng)。