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2014-2020年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭格局及發(fā)展前景預(yù)測報告
2014-09-17
  • [報告ID] 52408
  • [關(guān)鍵詞] 半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭格局
  • [報告名稱] 2014-2020年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭格局及發(fā)展前景預(yù)測報告
  • [交付方式] EMS特快專遞 EMAIL
  • [完成日期] 2014/9/17
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報告簡介

弘博報告網(wǎng)最新推出了《2014-2020年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭格局及發(fā)展前景預(yù)測報告》。此報告描述了半導(dǎo)體材料行業(yè)市場發(fā)展的環(huán)境,在深入分析半導(dǎo)體材料行業(yè)為載體的業(yè)務(wù)需求及應(yīng)用的基礎(chǔ)上,憑借多年來在半導(dǎo)體材料行業(yè)領(lǐng)域成熟經(jīng)驗,從戰(zhàn)略的高度對半導(dǎo)體材料行業(yè)市場未來的商業(yè)模式發(fā)展前景及發(fā)展部署策略提出了真知灼見。  PS:本報告將保持時實更新,為企業(yè)提供最新資訊,使企業(yè)能及時把握局勢的發(fā)展,及時調(diào)整應(yīng)對策略。

 


報告目錄
2014-2020年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)競爭格局及發(fā)展前景預(yù)測報告
第一章 半導(dǎo)體材料概述
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料的概述
一、半導(dǎo)體材料的定義
二、半導(dǎo)體材料的分類
三、半導(dǎo)體材料的物理特點
四、化合物半導(dǎo)體材料介紹
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料特性和制備
一、半導(dǎo)體材料特性和參數(shù)
二、半導(dǎo)體材料制備
   
第二章 2011-2014年全球半導(dǎo)體材料行業(yè)分析
第一節(jié) 全球總體市場概況
一、全球半導(dǎo)體材料的進展分析
二、2011年全球半導(dǎo)體材料市場情況
三、第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵發(fā)展概況
四、第三代半導(dǎo)體材料GAN發(fā)展概況
第二節(jié) 北美半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
第三節(jié) 挪威半導(dǎo)體材料發(fā)展分析
第四節(jié) 亞洲半導(dǎo)體材料發(fā)展
一、日本半導(dǎo)體新材料分析
二、韓國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分析
三、臺灣半導(dǎo)體材料市場分析
四、印度半導(dǎo)體材料市場分析
第五節(jié) 全球半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢
   
第三章 中國半導(dǎo)體材料行業(yè)分析
第一節(jié) 行業(yè)發(fā)展概況
一、半導(dǎo)體材料的發(fā)展概況
二、半導(dǎo)體封裝材料行業(yè)分析
三、中國半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)分析
四、半導(dǎo)體材料創(chuàng)新是關(guān)鍵
第二節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展分析
一、第一代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
二、第二代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
三、第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
四、2014年蘭州化物所金屬半導(dǎo)體異質(zhì)光催化納米材料研究獲進展
五、2014年高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)取得重要成果
六、2014年中科院在半導(dǎo)體光催化納米材料形貌研究獲進展
第三節(jié) 半導(dǎo)體材料技術(shù)動向及挑戰(zhàn)
一、銅導(dǎo)線材料
二、硅絕緣材料
三、低介電質(zhì)材料
四、高介電質(zhì)、應(yīng)變硅
五、太陽能板
六、無線射頻
七、發(fā)光二極管
   
第四章 主要半導(dǎo)體材料發(fā)展概況
第一節(jié) 硅晶體
一、中國多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程
二、我國多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
三、2014年多晶硅市場走勢分析
四、2014年商務(wù)部對歐盟提起多晶硅“雙反”
五、2014年我國多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨三重壓力
六、2014年中國九成以上多晶硅企業(yè)停產(chǎn)
七、我國多晶硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況及策略探討
八、單晶硅擁有廣闊的市場空間
第二節(jié) 砷化鎵
一、砷化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況
二、砷化鎵材料發(fā)展概況
三、我國砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況分析
四、2014年阿爾塔以23.5%刷新砷化鎵太陽能電池板效率
五、2014年云南鍺業(yè)擬使用超募資金建砷化鎵單晶材料項目
六、2014年新鄉(xiāng)神舟砷化鎵項目開工
七、2014-2017年砷化鎵增長預(yù)測
第三節(jié) GAN  
一、GAN材料的特性與應(yīng)用
二、GAN的應(yīng)用前景
三、GAN市場發(fā)展現(xiàn)狀
四、GAN產(chǎn)業(yè)市場投資前景
五、2014年基GaN藍(lán)光LED芯片陸續(xù)量產(chǎn)
六、2014年美國Soraa來引領(lǐng)GaN基質(zhì)研發(fā)項目
七、2014年基于氮化鎵的LED具有更低成本效益
八、2014年科銳公司推出兩項新型GaN工藝技術(shù)
九、2014-2013年我國GaN市場未來發(fā)展?jié)摿μ綔y
十、2016年GaN LED市場照明份額預(yù)測
第四節(jié) 碳化硅
一、碳化硅概況
二、碳化硅及其應(yīng)用簡述
三、碳化硅市場發(fā)展前景分析
四、2011年山大碳化硅晶體項目投資情況
五、2014年碳化硅產(chǎn)業(yè)化廈企開全國先河
六、2014年意法半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅太陽能解決方案
第五節(jié) ZnO  
一、ZnO 納米半導(dǎo)體材料概況
二、ZnO半導(dǎo)體材料研究取得重要進展
三、ZnO半導(dǎo)體材料制備
第六節(jié) 輝鉬
一、輝鉬半導(dǎo)體材料概況
一、輝鉬半導(dǎo)體材料研究進展
二、與晶體硅和石墨烯的比較分析
三、輝鉬材料未來發(fā)展前景
第七節(jié) 其他半導(dǎo)體材料
一、非晶半導(dǎo)體材料概況
二、寬禁帶氮化鎵材料發(fā)展概況
   
第五章 半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析
第一節(jié) 國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
第二節(jié) 半導(dǎo)體市場發(fā)展預(yù)測
   
第六章 主要半導(dǎo)體市場分析
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展
第二節(jié) 電子元器件市場
第三節(jié) 集成電路
第四節(jié) 半導(dǎo)體分立器件
第五節(jié) 其他半導(dǎo)體市場
一、氣體傳感器概況
二、IC光罩市場發(fā)展概況
   
第七章 半導(dǎo)體材料行業(yè)重點企業(yè)分析
第一節(jié) 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
一、企業(yè)概況
二、競爭優(yōu)勢分析
三、2011-2014年經(jīng)營狀況分析
四、2014-2020年公司發(fā)展戰(zhàn)略分析
第二節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
一、企業(yè)概況
二、競爭優(yōu)勢分析
三、2011-2014年經(jīng)營狀況分析
四、2014-2020年公司發(fā)展戰(zhàn)略分析
第三節(jié) 峨嵋半導(dǎo)體材料廠
一、公司概況
二、公司發(fā)展規(guī)劃
第四節(jié) 四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司
一、公司概況
二、2014年企業(yè)經(jīng)營情況分析
第五節(jié) 洛陽中硅高科技有限公司
一、公司概況
二、公司最新發(fā)展動態(tài)
第六節(jié) 寧波立立電子股份有限公司
一、公司概況
二、公司產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)
第七節(jié) 寧波康強電子股份有限公司
一、企業(yè)概況
二、競爭優(yōu)勢分析
三、2011-2014年經(jīng)營狀況分析
四、2014-2020年公司發(fā)展戰(zhàn)略分析
第八節(jié) 南京國盛電子有限公司
一、公司概況
二、工藝技術(shù)與產(chǎn)品
第九節(jié) 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司
一、企業(yè)概況
二、競爭優(yōu)勢分析
三、2011-2014年經(jīng)營狀況分析
四、2014-2020年公司發(fā)展戰(zhàn)略分析

第八章 2014-2020年半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展趨勢預(yù)測
第一節(jié) 2014-2020年半導(dǎo)體材料發(fā)展預(yù)測
一、2015年半導(dǎo)體封裝材料市場規(guī)模
二、2016年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測
三、2014-2020年半導(dǎo)體技術(shù)未來的發(fā)展趨勢
四、中國半導(dǎo)體材料發(fā)展趨勢
第二節(jié) 2014-2020年主要半導(dǎo)體材料的發(fā)展趨勢
一、硅材料
二、GaAs和InP單晶材料
三、半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料
四、一維量子線、零維量子點半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)材料
五、寬帶隙半導(dǎo)體材料
六、光子晶體
七、量子比特構(gòu)建與材料
第三節(jié) 電力半導(dǎo)體材料技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用趨勢
一、電力半導(dǎo)體的材料替代
二、碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化
三、氮化鎵即將實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化
四、未來的氧化鎵器件
五、驅(qū)動電源和電機一體化
   
第九章 2014-2020年半導(dǎo)體材料投資策略和建議
第一節(jié) 半導(dǎo)體材料投資市場分析
一、2014年全球半導(dǎo)體投資市場分析
二、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資模式變革分析
三、半導(dǎo)體新材料面臨的挑戰(zhàn)
四、2014-2015年我國半導(dǎo)體材料投資重點分析
第二節(jié) 2014-2013年中國半導(dǎo)體行業(yè)投資分析
一、2014年國際半導(dǎo)體市場投資態(tài)勢
二、2013年國際半導(dǎo)體市場投資預(yù)測
第三節(jié) 發(fā)展我國半導(dǎo)體材料的建議
一、半導(dǎo)體材料的戰(zhàn)略地位
二、我國多晶硅發(fā)展建議
三、我國輝鉬發(fā)展建議
四、我國石墨烯發(fā)展建議  

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