碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一種寬禁帶電力電子器件，產(chǎn)品主要包括SiC二級管、SiCMOSFET、全SiC模塊（SiC二級管和SiC MOSFET構(gòu)成）、SiC混合模塊（SiC二級管和SiCIGBT構(gòu)成）等。

近年來，隨著碳化硅器件在電動汽車、充電樁、光伏新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用需求快速增長，全球碳化硅器件市場規(guī)模呈現(xiàn)出顯著增長趨勢。2023年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模達(dá)19.72億美元，近五年年均復(fù)合增長率達(dá)35.79%。2024年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將增至26.23億美元。

碳化硅器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。近年來，新能源汽車、風(fēng)光儲能等市場快速發(fā)展，正推動碳化硅器件和模組需求持續(xù)高速增長，行業(yè)前景十分廣闊。