報告簡介
在半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，一般將硅、鍺稱為第一代半導體材料；將砷化鎵、磷化錮、磷化鎵、砷化錮、砷化鋁及其合金等稱為第二代半導體材料；而將寬禁帶(Eg>2.3eV)的氮化鎵、碳化硅、硒化鋅和金剛石等稱為第三代半導體材料。上述材料是目前主要應(yīng)用的半導體材料，三代半導體材料代表品種分別為硅、砷化鎵和氮化鎵。材料的物理性質(zhì)是產(chǎn)品應(yīng)用的基礎(chǔ)，下表列出了主要半導體材料的物理性質(zhì)及應(yīng)用情況。表中禁帶寬度決定發(fā)射光的波長，禁帶寬度越大發(fā)射光波長越短(藍光發(fā)射)；禁帶寬度越小發(fā)射光波長越長。其它參數(shù)數(shù)值越高，半導體性能越好。電子遷移速率決定半導體低壓條件下的高頻工作性能，飽和速率決定半導體高壓條件下的高頻工作性能。
表 主要半導體材料的比較
|
|
材料 |
Si |
GaAs |
GaN |
|
物理性質(zhì) |
禁帶寬度（ev） |
1.1 |
1.4 |
3.4 |
|
飽和速率（×10-7cm/s） |
1.0 |
2.1 |
2.7 |
|
熱導（W/c·K） |
1.3 |
0.6 |
2.0 |
|
擊穿電壓（M/cm） |
0.3 |
0.4 |
5.0 |
|
電子遷移速率（cm2/V·s） |
1350 |
8500 |
900 |
|
應(yīng)用情況 |
光學應(yīng)用 |
無 |
紅外 |
藍光/紫外 |
|
高頻性能 |
差 |
好 |
好 |
|
高溫性能 |
中 |
差 |
好 |
|
發(fā)展階段 |
成熟 |
發(fā)展中 |
初期 |
|
相對制造成本 |
低 |
高 |
高 |
硅材料具有儲量豐富、價格低廉、熱性能與機械性能優(yōu)良、易于生長大尺寸高純度晶體等優(yōu)點，處在成熟的發(fā)展階段。目前，硅材料仍是電子信息產(chǎn)業(yè)最主要的基礎(chǔ)材料，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路(IC)是用硅材料制作的。在21世紀，它的主導和核心地位仍不會動搖。但是硅材料的物理性質(zhì)限制了其在光電子和高頻高功率器件上的應(yīng)用。
砷化鎵材料的電子遷移率是硅的6倍多，其器件具有硅器件所不具有的高頻、高速和光電性能，并可在同一芯片同時處理光電信號，被公認是新一代的通信用材料。隨著高速信息產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，砷化鎵成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導體材料。同時，其在軍事電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，并占據(jù)不可取代的重要地位。選擇寬帶隙半導體材料的主要理由是顯而易見的。氮化鎵的熱導率明顯高于常規(guī)半導體。這一屬性在高功率放大器和激光器中是很起作用的。帶隙大小本身是熱生率的主要貢獻者。在任意給定的溫度下，寬帶隙材料的熱生率比常規(guī)半導體的小10～14個數(shù)量級。這一特性在電荷耦合器件、新型非易失性高速存儲器中起很大的作用，并能實質(zhì)性地減小光探測器的暗電流。寬帶隙半導體材料的高介電強度最適合用于高功率放大器、開關(guān)和二極管。寬帶隙材料的相對介電常數(shù)比常規(guī)材料的要小，由于對寄生參數(shù)影響小，這對毫米波放大器而言是有利用價值的。電荷載流子輸運特性是許多器件尤其是工作頻率為微波、毫米波放大器的一個重要特性。寬帶隙半導體材料的電子遷移率一般沒有多數(shù)通用半導體的高，其空穴遷移率一般較高，金剛石則很高。寬帶隙材料的高電場電子速度(飽和速度)一般較常規(guī)半導體高得多，這就使得寬帶隙材料成為毫米波放大器的首選者。
氮化鎵材料的禁帶寬度為硅材料的3倍多，其器件在大功率、高溫、高頻、高速和光電子應(yīng)用方面具有遠比硅器件和砷化鎵器件更為優(yōu)良的特性，可制成藍綠光、紫外光的發(fā)光器件和探測器件。近年來取得了很大進展，并開始進入市場。與制造技術(shù)非常成熟和制造成本相對較低的硅半導體材料相比，第三代半導體材料目前面臨的最主要挑戰(zhàn)是發(fā)展適合氮化鎵薄膜生長的低成本襯底材料和大尺寸的氮化鎵體單晶生長工藝。
主要半導體材料的用途如下表所示�？梢灶A(yù)見：以硅材料為主體、GaAs半導體材料及新一代寬禁帶半導體材料共同發(fā)展將成為集成電路及半導體器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流。
表 半導體材料的主要用途
|
材料名稱 |
制作器件 |
主要用途 |
|
硅 |
二極管、晶體管 |
通訊、雷達、廣播、電視、自動控制 |
|
集成電路 |
各種計算機、通訊、廣播、自動控制、電子鐘表、儀表 |
|
整流器 |
整流 |
|
晶閘管 |
整流、直流輸配電、電氣機車、設(shè)備自控、高頻振蕩器 |
|
射線探測器 |
原子能分析、光量子檢測 |
|
太陽能電池 |
太陽能發(fā)電 |
|
砷化鎵 |
各種微波管 |
雷達、微波通訊、電視、移動通訊 |
|
激光管 |
光纖通訊 |
|
紅外發(fā)光管 |
小功率紅外光源 |
|
霍爾元件 |
磁場控制 |
|
激光調(diào)制器 |
激光通訊 |
|
高速集成電路 |
高速計算機、移動通訊 |
|
太陽能電池 |
太陽能發(fā)電 |
|
氮化鎵 |
激光器件 |
光學存儲、激光打印機、醫(yī)療、軍事應(yīng)用 |
|
發(fā)光二極管 |
信號燈、視頻顯示、微型燈泡、移動電話 |
|
紫外探測器 |
分析儀器、火焰檢測、臭氧監(jiān)測 |
|
集成電路 |
通訊基站（功放器件）、永遠性內(nèi)存、電子開關(guān)、導彈 |
資料提供：調(diào)研中心
2009年只有LED和NAND閃存這兩個主要半導體產(chǎn)品領(lǐng)域逃脫下滑的命運。由于手機等移動產(chǎn)品的需求上升，NAND閃存市場在2009年增長了15%。LED在多種應(yīng)用中的占有率快速上升，尤其是液晶電視背光應(yīng)用，導致LED營業(yè)收入增長5%以上。這讓專注于這些產(chǎn)品的韓國廠商受益非淺。主要NAND閃存供應(yīng)商三星電子和海力士半導體，是2009年全球10大芯片廠商中唯一兩家實現(xiàn)增長的廠商。同時，LED廠商首爾半導體的2009年營業(yè)收入大增近90%。2009年，總部在韓國的半導體供應(yīng)商合計營業(yè)收入增長3.6%。iSuppli公司追蹤的全部韓國半導體供應(yīng)商中，有四分之三以上在2009年實現(xiàn)了營業(yè)收入增長。同樣的產(chǎn)品和需求趨勢也讓臺灣廠商在2009年受惠，總部在該地區(qū)的供應(yīng)商合計營業(yè)收入增長1.1%。2009年有一半以上的臺灣供應(yīng)商實現(xiàn)了營業(yè)收入增長。聯(lián)發(fā)科、南亞科技和旺宏是表現(xiàn)優(yōu)異的臺灣廠商，2009年營業(yè)收入分別增長了22.6%、21.2%和14.4%。
半導體設(shè)備市場現(xiàn)在仍呈現(xiàn)兩大熱點：一是太陽能電池設(shè)備。由于歐洲太陽能電池需求拉動作用，使國內(nèi)太陽能電池產(chǎn)業(yè)呈爆炸性增長，極大地促進了以生產(chǎn)太陽能電池片為主的半導體設(shè)備的增長，使其成為今年半導體設(shè)備的主要組成部分。第二依然是IC設(shè)備。集成電路的市場空前廣闊，為IC設(shè)備創(chuàng)造了巨大的市場機遇。2009 年中國半導體市場為682億美元，較08年略微增長0.29%。相對于全球半導體市場的萎縮，中國市場的下滑要小的多。預(yù)計中國半導體市場2010年將增長17.45%,達到801億美元。2014年將達到1504億美元。
報告目錄
第一章 2009-2010年中國半導體材料產(chǎn)業(yè)運行環(huán)境分析 19
第一節(jié) 2009-2010年中國宏觀經(jīng)濟環(huán)境分析 19
一、中國GDP分析 19
二、城鄉(xiāng)居民家庭人均可支配收入 21
三、恩格爾系數(shù) 22
四、中國城鎮(zhèn)化率 24
五、存貸款利率變化 26
六、財政收支狀況 30
第二節(jié) 2009-2010年中國半導體材料產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境分析 31
一、《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》 31
二、新政策對半導體材料業(yè)有積極作用 36
三、進出口政策分析 37
第三節(jié) 2009-2010年中國半導體材料產(chǎn)業(yè)社會環(huán)境分析 37
第二章 2009-2010年半導體材料發(fā)展基本概述 42
第一節(jié) 主要半導體材料概況 42
一、半導體材料簡述 42
二、半導體材料的種類 42
三、半導體材料的制備 43
第二節(jié) 其他半導體材料的概況 45
一、非晶半導體材料概況 45
二、GaN材料的特性與應(yīng)用 45
三、可印式氧化物半導體材料技術(shù)發(fā)展 51
第三章 2009-2010年世界半導體材料產(chǎn)業(yè)運行形勢綜述 54
第一節(jié) 2009-2010年全球總體市場發(fā)展分析 54
一、全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生巨變 54
二、世界半導體產(chǎn)業(yè)進入整合期 54
三、亞太地區(qū)的半導體出貨量受金融危機影響較小 54
五、模擬IC遭受重挫，無線下滑幅度最小 55
第二節(jié) 2009-2010年主要國家或地區(qū)半導體材料行業(yè)發(fā)展新動態(tài)分析 56
一、比利時半導體材料行業(yè)分析 56
二、德國半導體材料行業(yè)分析 56
三、日本半導體材料行業(yè)分析 57
四、韓國半導體材料行業(yè)分析 57
五、中國臺灣半導體材料行業(yè)分析 59
第四章 2009-2010年中國半導體材料行業(yè)運行動態(tài)分析 63
第一節(jié) 2009-2010年中國半導體材料行業(yè)發(fā)展概述 63
一、全球代工將形成兩強的新格局 63
二、應(yīng)加強與中國本地制造商合作 65
三、電子材料業(yè)對半導體材料行業(yè)的影響 66
第二節(jié) 2009-2010年半導體材料行業(yè)企業(yè)動態(tài) 66
一、元器件企業(yè)增勢強勁 66
二、應(yīng)用材料企業(yè)進軍封裝 66
第三節(jié) 2009-2010年中國半導體材料發(fā)展存在問題分析 67
第五章 2009-2010年中國半導體材料行業(yè)技術(shù)分析 69
第一節(jié) 2009-2010年半導體材料行業(yè)技術(shù)現(xiàn)狀分析 69
一、硅太陽能技術(shù)占主導 69
二、產(chǎn)業(yè)呼喚政策擴大內(nèi)需 69
第二節(jié) 2009-2010年半導體材料行業(yè)技術(shù)動態(tài)分析 70
一、功率半導體技術(shù)動態(tài) 70
二、閃光驅(qū)動器技術(shù)動態(tài) 71
三、封裝技術(shù)動態(tài) 72
四、太陽光電系統(tǒng)技術(shù)動態(tài) 76
第三節(jié) 2010-2014年半導體材料行業(yè)技術(shù)前景分析 76
第六章 2009-2010年中國半導體材料氮化鎵產(chǎn)業(yè)運行分析 81
第一節(jié) 2009-2010年中國第三代半導體材料相關(guān)介紹 81
一、第三代半導體材料的發(fā)展歷程 81
二、當前半導體材料的研究熱點和趨勢 81
三、寬禁帶半導體材料 82
第二節(jié) 2009-2010年中國氮化鎵的發(fā)展概況 82
一、氮化鎵半導體材料市場的發(fā)展狀況 82
二、氮化鎵照亮半導體照明產(chǎn)業(yè) 83
三、GaN藍光產(chǎn)業(yè)的重要影響 85
第三節(jié) 2009-2010年中國氮化鎵的研發(fā)和應(yīng)用狀況 86
一、中科院研制成功氮化鎵基激光器 86
二、方大集團率先實現(xiàn)氮化鎵基半導體材料產(chǎn)業(yè)化 86
三、非極性氮化鎵材料的研究有進展 87
四、氮化鎵的應(yīng)用范圍 87
第七章 2009-2010年中國其他半導體材料運行局勢分析 88
第一節(jié) 砷化鎵 88
一、砷化鎵單晶材料國際發(fā)展概況 88
二、砷化鎵的特性 89
三、砷化鎵研究狀況 89
四、寬禁帶氮化鎵材料 90
第二節(jié) 碳化硅 93
一、半導體硅材料介紹 93
二、多晶硅 95
三、單晶硅和外延片 96
四、高溫碳化硅 97
第八章 2006-2009年中國半導體分立器件制造業(yè)主要指標監(jiān)測分析 98
第一節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國半導體分立器件制造行業(yè)數(shù)據(jù)監(jiān)測回顧 98
一、競爭企業(yè)數(shù)量 98
二、虧損面情況 99
三、市場銷售額增長 101
四、利潤總額增長 102
五、投資資產(chǎn)增長性 103
六、行業(yè)從業(yè)人數(shù)調(diào)查分析 104
第二節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國半導體分立器件制造行業(yè)投資價值測算 106
一、銷售利潤率 106
二、銷售毛利率 107
三、資產(chǎn)利潤率 108
四、未來5年半導體分立器件制造盈利能力預(yù)測 110
第三節(jié)2005-2009年（按季度更新）中國半導體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷率調(diào)查 113
一、工業(yè)總產(chǎn)值 113
二、工業(yè)銷售產(chǎn)值 114
三、產(chǎn)銷率調(diào)查 115
第九章 2009-2010年中國半導體市場運行態(tài)勢分析 117
第一節(jié) LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展 117
一、國外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 117
二、國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況分析 117
三、LED產(chǎn)業(yè)所面臨的問題分析 117
四、2010-2014年LDE產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢及前景分析 118
第二節(jié) 集成電路 119
一、中國集成電路銷售情況分析 119
二、集成電路及微電子組件（8542）進出口數(shù)據(jù)分析 120
三、集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計分析 120
第三節(jié) 電子元器件 121
一、電子元器件的發(fā)展特點分析 121
二、電子元件產(chǎn)量分析 122
三、電子元器件的趨勢分析 123
第四節(jié) 半導體分立器件 124
一、半導體分立器件市場發(fā)展特點分析 124
二、半導體分立器件產(chǎn)量分析 124
三、半導體分立器件發(fā)展趨勢分析 125
第十章 2009-2010年中國半導體材料行業(yè)市場競爭態(tài)勢分析 127
第一節(jié) 2009-2010年歐洲半導體材料行業(yè)競爭分析 127
第二節(jié) 2009-2010年我國半導體材料市場競爭分析 128
一、半導體照明應(yīng)用市場突破分析 128
二、單芯片市場競爭分析 129
三、太陽能光伏市場競爭分析 131
第三節(jié) 2009-2010年我國半導體材料企業(yè)競爭分析 132
一、國內(nèi)硅材料企業(yè)競爭分析 132
二、政企聯(lián)動競爭分析 132
第十一章 2009-2010年中國半導體材料主要生產(chǎn)商競爭性財務(wù)數(shù)據(jù)分析 134
第一節(jié) 有研半導體材料股份有限公司 134
一、企業(yè)概況 134
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 134
三、企業(yè)成長性分析 134
四、企業(yè)經(jīng)營能力分析 135
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 135
第二節(jié) 天津中環(huán)半導體股份有限公司 136
一、企業(yè)概況 136
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 137
三、企業(yè)成長性分析 137
四、企業(yè)經(jīng)營能力分析 137
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 138
第三節(jié) 寧波康強電子股份有限公司 138
一、企業(yè)概況 138
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 139
三、企業(yè)成長性分析 139
四、企業(yè)經(jīng)營能力分析 139
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 140
第四節(jié) 南京華東電子信息科技股份有限公司 140
一、企業(yè)概況 141
二、企業(yè)主要經(jīng)濟指標分析 141
三、企業(yè)成長性分析 141
四、企業(yè)經(jīng)營能力分析 142
五、企業(yè)盈利能力及償債能力分析 142
第五節(jié) 峨眉半導體材料廠 143
一、企業(yè)基本概況 143
二、企業(yè)收入及盈利指標表 143
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 144
四、企業(yè)成本費用情況 145
第六節(jié) 洛陽中硅高科有限公司 145
一、企業(yè)基本概況 145
二、企業(yè)收入及盈利指標表 145
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 146
四、企業(yè)成本費用情況 147
第七節(jié) 北京國晶輝紅外光學科技有限公司 147
一、企業(yè)基本概況 147
二、企業(yè)收入及盈利指標表 147
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 148
四、企業(yè)成本費用情況 149
第八節(jié) 北京中科鎵英半導體有限公司 149
一、企業(yè)基本概況 149
二、企業(yè)收入及盈利指標表 149
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 150
四、企業(yè)成本費用情況 151
第九節(jié) 上海九晶電子材料有限公司 151
一、企業(yè)基本概況 151
二、企業(yè)收入及盈利指標表 152
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 152
四、企業(yè)成本費用情況 153
第十節(jié) 東莞鈦升半導體材料有限公司 153
一、企業(yè)基本概況 154
二、企業(yè)收入及盈利指標表 154
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 154
四、企業(yè)成本費用情況 155
第十一節(jié) 河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司 155
一、企業(yè)基本概況 156
二、企業(yè)收入及盈利指標表 156
三、企業(yè)資產(chǎn)及負債情況分析 157
四、企業(yè)成本費用情況 157
第十二章 2010-2014年中國半導體材料行業(yè)發(fā)展趨勢分析 159
第一節(jié) 2010-2014年中國半導體材料行業(yè)市場趨勢 159
一、2010-2014年國產(chǎn)設(shè)備市場分析 159
二、市場低迷創(chuàng)新機遇分析 159
三、半導體材料產(chǎn)業(yè)整合 159
第二節(jié) 2010-2014年中國半導體行業(yè)市場發(fā)展預(yù)測分析 161
一、全球光通信市場發(fā)展預(yù)測分析 161
二、化合物半導體襯底市場發(fā)展預(yù)測分析 162
第三節(jié) 2010-2014年中國半導體市場銷售額預(yù)測分析 163
第四節(jié) 2010-2014年中國半導體產(chǎn)業(yè)預(yù)測分析 164
一、半導體電子設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展預(yù)測分析 164
二、GPS芯片產(chǎn)量預(yù)測分析 165
三、高性能半導體模擬器件的發(fā)展預(yù)測 165
第十三章 2010-2014年中國半導體材料行業(yè)投資咨詢分析 168
第一節(jié) 2010-2014年中國半導體材料行業(yè)投資環(huán)境分析 168
第二節(jié) 2010-2014年中國半導體材料行業(yè)投資機會分析 171
一、半導體材料投資潛力分析 171
二、半導體材料投資吸引力分析 171
第三節(jié) 2010-2014年中國半導體材料行業(yè)投資風險分析 173
一、市場競爭風險分析 173
二、政策風險分析 173
三、技術(shù)風險分析 174
第四節(jié) 專家建議 174
【圖表目錄】
圖表 1 2009年中國主要宏觀經(jīng)濟數(shù)據(jù)增長表 19
圖表 2 2000-2009年中國GDP及其增長率統(tǒng)計表 19
圖表 3 2003-2009年中國GDP增長率季度統(tǒng)計表 20
圖表 4 2003-2009年中國GDP增長率季度走勢圖 21
圖表 5 1978-2009年中國居民收入及恩格爾系數(shù)統(tǒng)計表 21
圖表 6 中國城鄉(xiāng)居民收入走勢對比 22
圖表 7 1978-2008中國城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)對比表 23
圖表 8 1978-2008中國城鄉(xiāng)居民恩格爾系數(shù)走勢圖 24
圖表 9 2001-2008年中國城鎮(zhèn)化率走勢圖 25
圖表 10 2004-2009年央行歷次存貸款基準利率 26
圖表 11 1984-2010年1月中國存款準備金率歷次調(diào)整一覽表 26
圖表 12 央行歷次調(diào)整利率及股市第二交易日表現(xiàn)情況 28
圖表 13 05~09年中國財政收入增長趨勢圖 30
圖表 14 2000-2009年中國網(wǎng)民規(guī)模增長趨勢圖 38
圖表 15 2005-2009年中國大陸網(wǎng)民規(guī)模與互聯(lián)網(wǎng)普及率 38
圖表 16 截止至2009年6月中國互聯(lián)網(wǎng)統(tǒng)計數(shù)據(jù)表 39
圖表 17 部分國家的互聯(lián)網(wǎng)普及率統(tǒng)計表 39
圖表 18 截止至2009年6月中國網(wǎng)民性別結(jié)構(gòu)分布圖 40
圖表 19 截止至2009年6月網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用使用率排名和類別 40
圖表 20 網(wǎng)民對生活形態(tài)語句的總體認同度統(tǒng)計表 41
圖表 21 釬鋅礦GAN和閃鋅礦GAN的特性 46
圖表 22 雙氣流MOCVD生長GAN裝置 48
圖表 23 GAN基器件與CAAS及SIC器件的性能比較 49
圖表 24 2009年全球各地區(qū)半導體營業(yè)收入表（單位：百萬美元） 54
圖表 25 2009年全球半導體廠商營業(yè)收入的最終排名表（百萬美元） 55
圖表 26 韓國政府促進半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃和立法 58
圖表 27 2009年第四季我國IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計及預(yù)估(單位：億新臺幣) 61
圖表 28 全球FABLESS與半導體銷售額走勢情況 63
圖表 29 全球代工市場 64
圖表 30 LED照明在各種應(yīng)用的滲透比例 77
圖表 31 基于安森美半導體CAT4026的大尺寸LED背光液晶電視多通道線性側(cè)光方案 79
圖表 32 GAAS單晶生產(chǎn)方法比較 88
圖表 33 世界GAAS單晶主要生產(chǎn)廠家 89
圖表 34 SIC器件的研究概表 91
圖表 35 現(xiàn)代微電子工業(yè)對硅片關(guān)鍵參數(shù)的要求 94
圖表 36 多晶硅質(zhì)量指標 95
圖表 37 2006-2009年中國半導體分立器件制造企業(yè)數(shù)量增長趨勢圖 98
圖表 38 2006-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)虧損企業(yè)數(shù)量增長趨勢圖 100
圖表 39 2006-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)虧損額增長情況 100
圖表 40 2006-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)主營業(yè)務(wù)收入增長趨勢圖 101
圖表 41 2005-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)利潤總額增長趨勢圖 102
圖表 42 2006-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)資產(chǎn)增長趨勢圖 103
圖表 43 2008-2009年金融危機影響下全球著名企業(yè)裁員名錄 104
圖表 44 2006-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)從業(yè)人數(shù)增長趨勢圖 105
圖表 45 2005-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)銷售利潤率走勢圖 106
圖表 46 2005-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)銷售毛利率走勢圖 107
圖表 47 2005-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤率指標統(tǒng)計表 108
圖表 48 2005-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤率走勢圖 109
圖表 49 2005-2009年中國半導體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤率走勢圖 109
圖表 50 2009-2013年中國半導體分立器件制造行業(yè)銷售毛利率走勢圖 110
圖表 51 2009-2013年中國半導體分立器件制造行業(yè)銷售利潤率走勢圖 111
圖表 52 2009-2013年中國半導體分立器件制造行業(yè)總資產(chǎn)利潤率走勢圖 112
圖表 53 2006-2008年中國半導體分立器件制造行業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值情況 114
圖表 54 2006-2008年中國半導體分立器件制造行業(yè)工業(yè)銷售產(chǎn)值走勢 114
圖表 55 2006-2008年中國半導體分立器件制造行業(yè)產(chǎn)銷率走勢圖 115
圖表 56 2005-2009年中國集成電路市場銷售額規(guī)模及增長圖 119
圖表 57 2002-2009年中國集成電路及微電子組件進出口統(tǒng)計表 120
圖表 58 2007-2009年中國各省市集成電路產(chǎn)量統(tǒng)計（萬塊） 120
圖表 59 2007-2009年中國各省市電子元件產(chǎn)量統(tǒng)計表（萬只） 122
圖表 60 2007-2009年中國各省市半導體分立器件產(chǎn)量統(tǒng)計表（萬只） 124
圖表 61 2002-2009年有研半導體材料股份有限公司主要財務(wù)指標表 134
圖表 62 2002-2009年有研半導體材料股份有限公司成長性指標表 134
圖表 63 2002-2009年有研半導體材料股份有限公司經(jīng)營能力指標表 135
圖表 64 2002-2009年有研半導體材料股份有限公司盈利能力指標表 135
圖表 65 2002-2009年有研半導體材料股份有限公司償債能力指標表 135
圖表 66 2004-2009年天津中環(huán)半導體股份有限公司主要財務(wù)指標表 137
圖表 67 2005-2009年天津中環(huán)半導體股份有限公司成長性指標表 137
圖表 68 2004-2009年天津中環(huán)半導體股份有限公司經(jīng)營能力指標表 137
圖表 69 2004-2009年天津中環(huán)半導體股份有限公司盈利能力指標表 138
圖表 70 2004-2009年天津中環(huán)半導體股份有限公司償債能力指標表 138
圖表 71 2003-2009年寧波康強電子股份有限公司主要財務(wù)指標表 139
圖表 72 2004-2009年寧波康強電子股份有限公司成長性指標表 139
圖表 73 2003-2009年寧波康強電子股份有限公司經(jīng)營能力指標表 139
圖表 74 2003-2009年寧波康強電子股份有限公司盈利能力指標表 140
圖表 75 2003-2009年寧波康強電子股份有限公司償債能力指標表 140
圖表 76 2002-2009年南京華東電子信息科技股份有限公司主要財務(wù)指標表 141
圖表 77 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司成長性指標表 141
圖表 78 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司經(jīng)營能力指標表 142
圖表 79 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司盈利能力指標表 142
圖表 80 2002-2008年南京華東電子信息科技股份有限公司償債能力指標表 142
圖表 81 2008-2009年峨眉半導體材料廠收入狀況表 143
圖表 82 2008-2009年峨眉半導體材料廠盈利指標表 143
圖表 83 2008-2009年峨眉半導體材料廠盈利比率 144
圖表 84 2008-2009年峨眉半導體材料廠資產(chǎn)指標表 144
圖表 85 2008-2009年峨眉半導體材料廠負債指標表 144
圖表 86 2008-2009年峨眉半導體材料廠成本費用構(gòu)成表 145
圖表 87 2008-2009年洛陽中硅高科有限公司收入狀況表 145
圖表 88 2008-2009年洛陽中硅高科有限公司盈利指標表 146
圖表 89 2008-2009年洛陽中硅高科有限公司盈利比率 146
圖表 90 2008-2009年洛陽中硅高科有限公司資產(chǎn)指標表 146
圖表 91 2008-2009年洛陽中硅高科有限公司負債指標表 146
圖表 92 2008-2009年洛陽中硅高科有限公司成本費用構(gòu)成表 147
圖表 93 2008-2009年北京國晶輝紅外光學科技有限公司收入狀況表 148
圖表 94 2008-2009年北京國晶輝紅外光學科技有限公司盈利指標表 148
圖表 95 2008-2009年北京國晶輝紅外光學科技有限公司盈利比率 148
圖表 96 2008-2009年北京國晶輝紅外光學科技有限公司資產(chǎn)指標表 148
圖表 97 2008-2009年北京國晶輝紅外光學科技有限公司負債指標表 149
圖表 98 2008-2009年北京國晶輝紅外光學科技有限公司成本費用構(gòu)成表 149
圖表 99 2008-2009年北京中科鎵英半導體有限公司收入狀況表 150
圖表 100 2008-2009年北京中科鎵英半導體有限公司盈利指標表 150
圖表 101 2008-2009年北京中科鎵英半導體有限公司盈利比率 150
圖表 102 2008-2009年北京中科鎵英半導體有限公司資產(chǎn)指標表 150
圖表 103 2008-2009年北京中科鎵英半導體有限公司負債指標表 151
圖表 104 2008-2009年北京中科鎵英半導體有限公司成本費用構(gòu)成表 151
圖表 105 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司收入狀況表 152
圖表 106 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司盈利指標表 152
圖表 107 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司盈利比率 152
圖表 108 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司資產(chǎn)指標表 153
圖表 109 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司負債指標表 153
圖表 110 2008-2009年上海九晶電子材料有限公司成本費用構(gòu)成表 153
圖表 111 2008-2009年東莞鈦升半導體材料有限公司收入狀況表 154
圖表 112 2008-2009年東莞鈦升半導體材料有限公司盈利指標表 154
圖表 113 2008-2009年東莞鈦升半導體材料有限公司盈利比率 154
圖表 114 2008-2009年東莞鈦升半導體材料有限公司資產(chǎn)指標表 155
圖表 115 2008-2009年東莞鈦升半導體材料有限公司負債指標表 155
圖表 116 2008-2009年東莞鈦升半導體材料有限公司成本費用構(gòu)成表 155
圖表 117 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司收入狀況表 156
圖表 118 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司盈利指標表 156
圖表 119 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司盈利比率 157
圖表 120 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司資產(chǎn)指標表 157
圖表 121 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司負債指標表 157
圖表 122 2008-2009年河南新鄉(xiāng)華丹電子有限責任公司成本費用構(gòu)成表 158
圖表 123 2008-2014年中國半導體市場規(guī)模增長及預(yù)測情況 163
