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圖表 我國(guó)集成電路貿(mào)易逆差擴(kuò)大
2018-12-04 來(lái)源: 文字:[    ]

圖表 我國(guó)集成電路貿(mào)易逆差擴(kuò)大

     集成電路核心產(chǎn)業(yè)鏈上,越前端技術(shù)難度越大。詳細(xì)來(lái)說(shuō),制造設(shè)備技術(shù)難度大于封裝設(shè)備大于測(cè)試設(shè)備。制造設(shè)備中,光刻機(jī)的技術(shù)難度大于刻蝕設(shè)備,刻蝕設(shè)備又大于離子注入和鍍銅設(shè)備,薄膜生長(zhǎng)、清洗、拋光、檢測(cè)等設(shè)備的難度最小。其原因在于,光刻和刻蝕都有及其嚴(yán)格的線寬要求,且會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生破壞。而后段的清洗、檢測(cè)等則沒(méi)有這方面的要求,且本身不會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生破壞。封裝設(shè)備中,技術(shù)難度最大的在鍵合。測(cè)試設(shè)備中,封裝后測(cè)試技術(shù)難度小于晶圓測(cè)試,分選機(jī)技術(shù)難度小于探針卡。

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