芯片工藝技術(shù)臨近極限，為后發(fā)者趕超提供可能，芯片國(guó)產(chǎn)化技術(shù)上可行。我們從國(guó)產(chǎn)芯片和Intel芯片的工藝演進(jìn)過(guò)程來(lái)看：1）Intel芯片的工藝隨著代際的更迭，其難度和花費(fèi)的時(shí)間也越來(lái)越長(zhǎng)；2）對(duì)標(biāo)Intel的芯片制作工藝，國(guó)產(chǎn)芯片的制作工藝已呈現(xiàn)出加速追趕的態(tài)勢(shì)，在摩爾定律逐漸失效的情況下，兩者的差距有望進(jìn)一步縮小，長(zhǎng)周期客觀上可能給大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)追趕帶來(lái)機(jī)遇。✓硅晶片直徑的變大和晶體管制程的變�。汗杈�片的直徑已經(jīng)有4英寸擴(kuò)大到12英寸，而晶體管工藝規(guī)格已經(jīng)從最初的5微米縮小到5納米，縮小了將近1000倍。

✓7nm的工藝技術(shù)幾乎是大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的極限：在業(yè)界，當(dāng)芯片工藝規(guī)格小于7nm的時(shí)候，就會(huì)出現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，導(dǎo)致制造成本急劇提升，同時(shí)光刻機(jī)的產(chǎn)能瓶頸也使得7nm低制程的芯片量產(chǎn)變得非常困難。