碲鋅鎘晶體屬于寬禁帶II-VI族化合物半導(dǎo)體，是第三代前沿戰(zhàn)略性的半導(dǎo)體材料，是當(dāng)前國(guó)內(nèi)外制造室溫中紅外探測(cè)、X射線探測(cè)、γ射線探測(cè)、核輻射及高能射線探測(cè)器等最為先進(jìn)、優(yōu)異的材料。

目前，國(guó)際上從事碲鋅鎘單晶生長(zhǎng)與襯底制備研究的單位主要有土耳其Aselsan、英國(guó)Kromek、法國(guó)Sofradir公司、法國(guó)CEA-LETI聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室等。國(guó)內(nèi)從事碲鋅鎘單晶生長(zhǎng)與襯底制備研究的單位除中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所以外，主要還有常州光電技術(shù)研究所和昆明物理研究所，采用的單晶生長(zhǎng)方法主要是垂直布里奇曼法，生長(zhǎng)的晶體直徑主要有50 mm、60 mm、90mm等幾種規(guī)格，常規(guī)使用的襯底主要有20×20mm2、20×25mm2、20×30mm2、30×40mm2、40×40mm2等規(guī)格，典型EPD在5～15×104cm2之間。

2022年1月，經(jīng)中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所檢測(cè)，安徽承禹半導(dǎo)體材料科技有限公司碲鋅鎘單晶棒及晶片在紅外透過(guò)率等綜合參數(shù)性能、產(chǎn)品良率、晶棒及晶片尺寸規(guī)格，尤其是3英寸的全單晶圓片等幾項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)方面，均處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。目前中國(guó)不僅打破了國(guó)外對(duì)碲鋅鎘晶體材料的技術(shù)與產(chǎn)品雙封鎖，還發(fā)展成為國(guó)際上少數(shù)幾個(gè)能生產(chǎn)制造碲鋅鎘晶體材料的國(guó)家，且已實(shí)現(xiàn)碲鋅鎘晶體材料純企業(yè)化、大規(guī)模化量產(chǎn)。

隨著中國(guó)軍事、醫(yī)療、安防、安檢、工業(yè)探測(cè)等領(lǐng)域的發(fā)展，中國(guó)碲鋅鎘晶體材料需求量持續(xù)增長(zhǎng)，尤其是醫(yī)療、安防等民用領(lǐng)域需求的增長(zhǎng)，成為中國(guó)碲鋅鎘晶體材料需求增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。2022年，中國(guó)碲鋅鎘晶體材料需求量約為15千片。

碲鋅鎘晶體材料屬于高端材料領(lǐng)域，其研發(fā)涉及物理、化學(xué)、材料等多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，技術(shù)難度相對(duì)較大。即便產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)成功，如果要實(shí)現(xiàn)碲鋅鎘晶體材料產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，還需要對(duì)生產(chǎn)工藝持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化，以提升良品率，降低生產(chǎn)成本。另外，在生產(chǎn)線建設(shè)過(guò)程中，相關(guān)企業(yè)需要對(duì)包括設(shè)備在內(nèi)的生產(chǎn)線進(jìn)行反復(fù)調(diào)試，以達(dá)到生產(chǎn)要求。在業(yè)務(wù)開(kāi)展的過(guò)程中，碲鋅鎘晶體材料企業(yè)需要根據(jù)客戶要求進(jìn)行定制化開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)，這需要雄厚的技術(shù)及人才儲(chǔ)備。在上述環(huán)節(jié)中，均涉及到大量技術(shù)及工藝細(xì)節(jié)，如果企業(yè)在某個(gè)環(huán)節(jié)中因技術(shù)問(wèn)題影響業(yè)務(wù)開(kāi)展，將使企業(yè)面臨較大的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。