碳化硅屬于第三代半導體材料，處于寬禁帶半導體產業(yè)的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。近年來，伴隨國內新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等行業(yè)的快速發(fā)展，我國碳化硅產業(yè)規(guī)模和產業(yè)技術得到進一步提升，行業(yè)前景廣闊。

碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉換效率。隨著技術突破和成本的下降，碳化硅功率器件預計將大規(guī)模應用于電動汽車、充電樁、光伏新能源等各個領域。2023年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模達19.72億美元，近五年年均復合增長率達35.79%。2024年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將增至26.23億美元。

目前主流的射頻器件有砷化鎵、硅基LDMOS、碳化硅基氮化鎵等不同類型。碳化硅基氮化鎵射頻器件具有良好的導熱性能、高頻率、高功率等優(yōu)勢，有望開啟廣泛應用。隨著通信基礎建設和軍事應用的需求發(fā)展，全球碳化硅基射頻器件市場規(guī)模持續(xù)增長，2023年市場規(guī)模達到14.18億美元。2024年全球碳化硅基射頻器件市場規(guī)模將達到16.54億美元。

行業(yè)發(fā)展前景

1.第三代半導體戰(zhàn)略地位得到廣泛重視

碳化硅屬于第三代半導體材料，處于寬禁帶半導體產業(yè)的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。由于在新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、消費電子、國防軍工、航空航天等諸多領域具有廣闊的應用前景，第三代半導體材料的重要性和戰(zhàn)略地位得到廣泛重視。歐盟委員會、美國能源部、日本新能源產業(yè)技術開發(fā)機構等發(fā)達國家和機構相繼啟動第三代半導體襯底及器件的多個發(fā)展計劃和研發(fā)項目，推動本國（地區(qū)）第三代半導體產業(yè)鏈發(fā)展，鞏固其在第三代半導體領域的領先地位。

2.國內碳化硅材料企業(yè)快速崛起

我國的碳化硅晶體研究從20世紀90年代末才起步，并在發(fā)展初期受到技術瓶頸和產能規(guī)模限制而未能實現(xiàn)產業(yè)化，與國際先進水平相比存在較大差距。進入21世紀以來，在國家產業(yè)政策的支持和引導下，我國碳化硅晶片產業(yè)發(fā)展大幅提速。先后涌現(xiàn)出山東天岳、天科合達等具有自主知識產權的碳化硅晶片優(yōu)秀制造企業(yè)。國內企業(yè)以技術驅動發(fā)展，深耕碳化硅晶片與晶體制造，逐步掌握了2英寸至6英寸碳化硅晶體和晶片的制造技術，打破了國內碳化硅晶片制造的技術空白并逐漸縮小與發(fā)達國家的技術差距。目前，以天科合達為代表的國內碳化硅晶片制造企業(yè)的部分產品在核心參數(shù)上已經達到國際先進水平，晶片產品對外銷往北美、歐洲、日本、韓國等國家和地區(qū)，與美國CREE公司、美國II-VI公司等國際企業(yè)進行直接競爭。未來伴隨我國新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等行業(yè)的快速發(fā)展，我國碳化硅材料產業(yè)規(guī)模和產業(yè)技術將得到進一步提升。

3.國內進口替代趨勢不可逆轉

為發(fā)展我國半導體產業(yè)的自主可控，國家宏觀到微觀層面先后出臺了大量支持政策與規(guī)劃，促進國內企業(yè)在半導體設備、材料、設計等各個細分領域的重點突破。同時，數(shù)千億規(guī)模的國家集成電路產業(yè)投資基金對半導體產品的生產與設計、下游應用領域的重點企業(yè)提供了有力的資金支持。目前我國完善的基建配套、巨大的工程技術人員規(guī)模和市場容量已經培育出了在細分領域具有國際競爭力的半導體產品制造企業(yè)。半導體產業(yè)是資金密集、技術密集和人才密集的產業(yè)，國內半導體企業(yè)在政策引導、資金支持下，產能規(guī)模和制造技術均能保持穩(wěn)定發(fā)展，半導體產業(yè)鏈實現(xiàn)進口替代的趨勢不可逆轉。