3D NAND，又稱三維NAND，指通過垂直堆疊存儲單元來增加存儲密度的的閃存類型。與傳統(tǒng)2D NAND相比，3D NAND具有耐用性好、讀寫速度快、功耗低、存儲容量大等優(yōu)勢，適用范圍極廣。
   3D NAND在物聯(lián)網(wǎng)、消費電子、數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、汽車制造、航空航天、國防軍工等眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。在消費電子領(lǐng)域，3D NAND可應(yīng)用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦的存儲單元；在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，其可用于構(gòu)建企業(yè)級數(shù)據(jù)中心存儲系統(tǒng)，具備高可靠性以及高效能等優(yōu)勢；在國防軍工領(lǐng)域，其可在極端惡劣環(huán)境中實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，可用于軍用無人機以及軍用衛(wèi)星通信系統(tǒng)。
    2D NAND，又稱平面NAND，為傳統(tǒng)NAND FLASH閃存技術(shù)，其單位面積存儲容量難以繼續(xù)提高，目前行業(yè)發(fā)展受限。伴隨應(yīng)用需求增長，3D NAND逐漸代替2D NAND，成為閃存主流技術(shù)。2023年全球3D NAND市場規(guī)模超過500億美元，同比增長近20%。未來隨著技術(shù)進步，3D NAND行業(yè)發(fā)展速度將進一步加快，預計到2028年將占據(jù)閃存市場近99%的份額。
   全球3D NAND市場主要參與者包括韓國三星集團（Samsung）、韓國海力士株式會社（SK hynix）、日本東芝株式會社（TOSHIBA）、美國西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital）、美國英特爾公司（Intel）、美國美光科技股份有限公司（Micron Technology）等。三星集團為全球較早推出3D NAND產(chǎn)品的企業(yè)之一，目前公司正在積極推進高疊層數(shù)3D NAND閃存芯片的研發(fā)工作，已具備236層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)能力。
   在本土方面，與海外發(fā)達國家相比，我國3D NAND行業(yè)起步較晚，于2016年才實現(xiàn)相關(guān)產(chǎn)品批量化生產(chǎn)。長江存儲、東芯股份等為我國3D NAND市場主要參與者。長江存儲專注于3D NAND閃存技術(shù)的設(shè)計及研發(fā)，目前已具備32層3D NAND芯片、128層QLC 3D NAND閃存芯片以及232層3D NAND閃存芯片量產(chǎn)能力。長江存儲基于Xtacking 3.0技術(shù)推出的3D NAND閃存芯片X3-9070，在產(chǎn)品性能及技術(shù)水平上已達到全球領(lǐng)先。
   3D NAND作為一種高性能閃存技術(shù)，在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。未來伴隨技術(shù)進步以及應(yīng)用需求日益旺盛，3D NAND市場規(guī)模將持續(xù)增長。在市場競爭方面，與海外發(fā)達國家相比，我國3D NAND行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢頭迅猛，本土企業(yè)已具備高性能產(chǎn)品生產(chǎn)實力。