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報(bào)告簡(jiǎn)介
報(bào)告目錄
2016年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)深度分析報(bào)告
1、哪里有數(shù)據(jù)，哪里就需要存儲(chǔ)！ 6
1.1、DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 是三大主流存儲(chǔ)器 6
1.2、存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈：IDM 模式占據(jù)主導(dǎo)，生產(chǎn)制造能力很重要 7
2、基于自主可控的需求才是政策強(qiáng)推的根本原因 8
2.1、存儲(chǔ)關(guān)乎安全，自主可控勢(shì)在必行 8
2.1.1、存儲(chǔ)是信息安全的根基，自主可控方能保障安全 8
2.1.2、存儲(chǔ)芯片依賴于進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)替代需求空間大 9
2.2、存儲(chǔ)芯片四大特性導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)化任務(wù)艱巨，國(guó)內(nèi)單一企業(yè)力量難以攻克 10
2.2.1、技術(shù)差距大 10
2.2.2、行業(yè)集中度高 11
2.2.3、周期性強(qiáng) 12
2.2.4、資金投入大 14
2.3、存儲(chǔ)芯片突圍，國(guó)家重點(diǎn)支持，直面主戰(zhàn)場(chǎng) 15
2.3.1、抓技術(shù) 15
2.3.2、拼規(guī)模 17
2.4、攻克存儲(chǔ)芯片進(jìn)行時(shí)，建議中國(guó)政府持續(xù)加大政策支持 18
2.4.1、國(guó)家意志下，國(guó)內(nèi)多方力量已著手攻克存儲(chǔ)芯片 18
2.4.2、發(fā)展策略 19
3、NAND FLASH：前景廣闊，3D NAND FLASH 有望實(shí)現(xiàn)中國(guó)彎道超車 19
3.1、移動(dòng)應(yīng)用和SSD 是NAND FLASH 需求最大兩大領(lǐng)域 19
3.2、SSD 替代HHD 是長(zhǎng)久趨勢(shì)，可引爆NAND FLASH 市場(chǎng)需求 20
3.2.1、SSD 性能優(yōu)越，替代HHD 是長(zhǎng)久趨勢(shì) 20
3.2.2、HHD 仍是主流存儲(chǔ)介質(zhì)，SSD 替代將引爆NAND FLASH 市場(chǎng)需求 24
3.3、移動(dòng)存儲(chǔ)配置多樣，“容量提升+價(jià)格下降”推動(dòng)NAND FLASH需求量繼續(xù)增加 27
3.3.1、移動(dòng)終端的存儲(chǔ)配置多式多樣，NAND FLASH 決定了終端存儲(chǔ)容量 27
3.3.2、容量提升+價(jià)格下降，移動(dòng)終端NAND FLASH 需求量繼續(xù)增加 28
3.4、NAND FLASH 開展新一輪的擴(kuò)產(chǎn)，3D NAND FLASH 有望實(shí)現(xiàn)中國(guó)彎道超車 29
3.4.1、從2D 到3D NAND FLASH 全面轉(zhuǎn)型，3D NAND FLASH 成為趨勢(shì) 29
3.4.2、3D NAND FLASH 時(shí)代，中國(guó)廠商彎道超車機(jī)會(huì)來(lái)臨 31
4、DRAM：市場(chǎng)需求穩(wěn)中有升，中國(guó)廠商參與有望打破格局 32
4.1、移動(dòng)端和企業(yè)端應(yīng)用需求將進(jìn)一步提升，總體需求穩(wěn)中有升 32
4.1.1、移動(dòng)端和企業(yè)端應(yīng)用需求量將進(jìn)一步提升 32
4.1.2、新市場(chǎng)尚未打開，短期DRAM 需求穩(wěn)中有升 34
4.2、中國(guó)廠商參與有望打破DRAM 格局 35
5、投資策略及相關(guān)公司分析 37
5.1、投資策略 37
5.2、主要公司 37
5.2.1、深科技：收購(gòu)沛頓科技，占據(jù)存儲(chǔ)封測(cè)制高點(diǎn) 37
5.2.2、紫光國(guó)芯：國(guó)家存儲(chǔ)意志的先頭兵 38
5.2.3、兆易創(chuàng)新：NOR Flash 領(lǐng)導(dǎo)者 38
圖表目錄
圖表 1：存儲(chǔ)芯片發(fā)展路線圖 6
圖表 2：存儲(chǔ)芯片工藝技術(shù)路線圖 6
圖表 3：2014 年DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 產(chǎn)值在存儲(chǔ)芯片的占比 7
圖表 4：Samsung、SK Hynix、Micron 等巨頭均采用IDM 模式 8
圖表 5：僅2015 年第一季度發(fā)生多起信息存儲(chǔ)安全事件 9
圖表 6：存儲(chǔ)介質(zhì)和存儲(chǔ)控制芯片是存儲(chǔ)信息安全的關(guān)鍵 9
圖表 7：我國(guó)存儲(chǔ)芯片與國(guó)外制造工藝對(duì)比，差距非常巨大 10
圖表 8：2014Q4 NAND FLASH 廠商結(jié)構(gòu) 11
圖表 9：2015Q2 DRAM 廠商結(jié)構(gòu) 11
圖表 10：2008 到2014 年，存儲(chǔ)市場(chǎng)廠商集中度進(jìn)一步提升 12
圖表 11：4-5 家競(jìng)爭(zhēng)格局+擴(kuò)產(chǎn)/減產(chǎn)，導(dǎo)致存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)巨幅波動(dòng)性 13
圖表 12：Samsung、SK Hynix、Micron、Toshiba、Sandisk 新一輪擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃 13
圖表 13：2015 年存儲(chǔ)占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支出為最高，達(dá)38% 14
圖表 14：2015 年存儲(chǔ)廠商資本支出明顯上升 14
圖表 15：半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)美國(guó)專利演變態(tài)勢(shì) 16
圖表 16：主流存儲(chǔ)器技術(shù)美國(guó)專利領(lǐng)先申請(qǐng)人的情況 16
圖表 17：僅2015 年第一季度發(fā)生多起信息存儲(chǔ)安全事件 17
圖表 18：2014 年 NAND FLASH 下游應(yīng)用情況 20
圖表 19：HHD（機(jī)械硬盤） 21
圖表 20：SSD（固態(tài)硬盤） 21
圖表 21：SSD 性能遠(yuǎn)優(yōu)越于HHD 22
圖表 22：短期SSD 價(jià)格高企，普及應(yīng)用難度較大，長(zhǎng)期在技術(shù)效應(yīng)和規(guī)模效應(yīng)下價(jià)格降快速下降 22
圖表 23：2012-2015年SSD 價(jià)格下降了一半 23
圖表 24：華為FusionServer RH8100 V3 機(jī)架服務(wù)器采用SSD 24
圖表 25：SSD 助力數(shù)據(jù)中心高性能、低功耗 24
圖表 26：2010 年之后WDC 和Seagate 的收入均開始下滑 25
圖表 27：1976-2014 年機(jī)械硬盤出貨情況，2010 年出現(xiàn)拐點(diǎn)開始下滑，而SSD 在2010 之后5 年復(fù)合增速69.3% 25
圖表 28：2014-2017 年，筆記本電腦SSD 滲透率持續(xù)提高 25
圖表 29：NAND FLASH 在SSD 里面的應(yīng)用 26
圖表 30：預(yù)計(jì)2022 年全球SSD 市場(chǎng)規(guī)�；蜻_(dá)2295 億美元,年均增長(zhǎng)復(fù)合率40.7% 27
圖表 31：智能手機(jī)中各種Memory 的集成形式，以及eMMC 的主要構(gòu)成 28
圖表 32：蘋果和三星歷代旗艦手機(jī)的最大ROM 不斷提升 28
圖表 33：近2 年eMMC 市場(chǎng)平均價(jià)格下降了一半，隨著eMMC 價(jià)格下降，將會(huì)導(dǎo)入更多新的終端應(yīng)用產(chǎn)品 29
圖表 34：3D 解決了NAND FLASH 產(chǎn)品的極限困境 29
圖表 35：存儲(chǔ)廠商開始全面向3D NAND 轉(zhuǎn)型 30
圖表 36：各大存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)3D NAND FLASH 情況 30
圖表 37：2014 年DRAM 下游應(yīng)用結(jié)構(gòu) 32
圖表 38：移動(dòng)和企業(yè)市場(chǎng)的比例將增加 33
圖表 39：電腦用的DRAM（DDR）性能不斷提升 33
圖表 40：手機(jī)/平板用的DRAM（LPDDR）性能不斷提升 33
圖表 41：2005-2015 年DRAM 全球市場(chǎng)規(guī)模 34
圖表 42：2015Q3 單季度DRAM 市場(chǎng)情況 35
圖表 43：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)整合不斷，DRAM 廠商數(shù)量大幅減少，形成了三足鼎立的寡頭壟斷局面 36
圖表 44：DRAM 的投資占其銷售額的比重不斷下降，投資趨于疲軟 36
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