與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。2023年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為21.2億美元，受益于新能源汽車及光伏領(lǐng)域需求量的高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)26.6億美元。

當(dāng)前我國(guó)已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，隨著國(guó)家“新基建”戰(zhàn)略的實(shí)施，碳化硅半導(dǎo)體將在5G基站建設(shè)、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。從下游應(yīng)用市場(chǎng)占比情況來(lái)看，新能源汽車應(yīng)用占比最大，達(dá)到38%；其次是消費(fèi)類電源，占比為22%；光伏逆變器占據(jù)著15%的份額。

隨著新能源汽車的發(fā)展，對(duì)功率器件需求量日益增加，成為功率半導(dǎo)體器件新的增長(zhǎng)點(diǎn)。碳化硅器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中主要應(yīng)用在電機(jī)控制器（電驅(qū)）、車載充電機(jī)OBC、DC/DC變換器以及充電樁，碳化硅器件相比硅基器件有更優(yōu)越的物理性能，體積小，性能優(yōu)越，節(jié)能性強(qiáng)，同時(shí)緩解了續(xù)航問(wèn)題，更適應(yīng)新能源汽車增加續(xù)航里程、縮短充電時(shí)長(zhǎng)、提高電池容量、降低車身自重的需求。近年來(lái)，我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)快速發(fā)展。2024年1-3月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成211.5萬(wàn)輛和209萬(wàn)輛，同比分別增長(zhǎng)28.2%和31.8%，市場(chǎng)占有率達(dá)到31.1%。

在光伏發(fā)電應(yīng)用中，基于硅基器件的傳統(tǒng)逆變器成本約占系統(tǒng)10%左右，卻是系統(tǒng)能量損耗的主要來(lái)源之一。使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 與碳化硅 SBD 結(jié)合的功率模塊的光伏逆變器，轉(zhuǎn)換效率可從 96%提升至 99%以上，能量損耗降低 50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升 50 倍，從而能夠縮小系統(tǒng)體積、增加功率密度、延長(zhǎng)器件使用壽命、降低生產(chǎn)成本。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆變器的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。